规格书 |
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文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 250V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 33A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 48nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2135pF @ 25V |
功率 - 最大 | 235W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16313?mpart=FDB33N25TM&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
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